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    隔离半桥驱动

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    第二代高性能隔离式双通道栅极驱动器

    NSI66x2x是纳芯微第二代高可靠性的隔离式双通道栅极驱动器IC, 增强了抗干扰能力和驱动能力,且功耗更低,同时提高了输入侧的耐压能力。可以驱动高达2MHz开关频率的功率晶体管。每个通道输出可以以快速的25ns传播延迟和5ns的最大延迟匹配来提供最大6A/8A的拉灌电流能力。150kV/us的共模瞬变抗扰度(CMTI)提高系统鲁棒性。该驱动器的最大耐压为30V,而输入侧则接受3V至18V的电源供电电压。所有电源电压引脚均支持欠压锁定(UVLO)保护。同时有多个欠压点可供选择。最低欠压点支持4V, 可用于驱动GaN 功率器件。

    产品特性

    - 隔离式双通道驱动器

    - 输入侧电源电压: 3V至18V

    - 驱动器侧电源电压:最大耐压30V,具有UVLO功能

    - 峰值6A/8A拉灌电流能力

    - 高CMTI:150kV/us

    - 25ns典型传播延迟

    - 5ns最大延迟匹配

    - 6ns最大脉冲宽度失真

    - 可编程死区时间

    - 使能引脚:NSI6602N Enable (高电平开机)

    - 接受最小输入脉冲宽度15ns

    - 工作温度: -40℃~125℃

    - AEC-Q100认证

    安全认证

    - UL1577认证:

    SOW14:1分钟 5.7kVrms

    SOW16:1分钟 5.7kVrms

    SOP16:1分钟 3kVrms

    - CQC认证:符合GB4943.1-2011

    - CSA认证:组件符合5A

    - VDE认证:DIN V VDE V 0884-11:2017-1

    应用场景

    - 服务器,电信和工业中的隔离式DC-DC和AC-DC电源

    - DC-AC太阳能逆变器

    - 电机驱动和EV充电

    - UPS和电池充电器

    功能框图

    image.png

    相关资源

    技术文档

    类别

    名称

    类别:

    应用笔记

    名称:

    NSI66x2x 应用说明

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