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NSI6602V-Q1是纳芯微第二代高可靠性的隔离式双通道栅极驱动器IC, 增强了抗干扰能力和驱动能力，且功耗更低，同时提高了输入侧的耐压能力。可以驱动高达2MHz开关频率的功率晶体管。每个通道输出可以以快速的25ns传播延迟和5ns的最大延迟匹配来提供最大6A/8A的拉灌电流能力。typical 150kV/μs的共模瞬变抗扰度(CMTI)提高系统鲁棒性。该驱动器的最大耐压为30V，而输入侧则接受3V至18V的电源供电电压。所有电源电压引脚均支持欠压锁定(UVLO)保护。同时有多个欠压点可供选择。最低欠压点支持4V, 可用于驱动GaN 功率器件。它还有多个封装可供选择，最小封装是4*4mm LGA封装，可用于对体积要求高的场景。
产品特性
- 隔离式双通道驱动器
- 输入侧电源电压: 3V至18V
- 驱动器侧电源电压：最大耐压30V，具有UVLO功能
- 峰值6A/8A拉灌电流能力
- 高CMTI：typical 150kV/μs
- 25ns典型传播延迟
- 5ns最大延迟匹配
- 6ns最大脉冲宽度失真
- 可编程死区时间
- 接受最小输入脉冲宽度15ns
- 工作温度: -40℃~125℃
- AEC-Q100认证
安全认证
- UL1577认证:
LGA13(4*4mm)：1分钟 1.6kVrms
LGA13(5*5mm)：1分钟 2.5kVrms
SOW14：1分钟 5.7kVrms
SOW16：1分钟 5.7kVrms
SOP16：1分钟 3kVrms
- CQC认证：符合GB4943.1-2011
- CSA认证：组件符合5A
- VDE认证：DIN V VDE V 0884-11：2017-1
应用场景
- 服务器，电信和工业中的隔离式DC-DC和AC-DC电源
- DC-AC太阳能逆变器
- 电机驱动和EV充电
- UPS和电池充电器
功能框图
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