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纳芯世界
HBNSI6611SiC半桥驱动板是基于纳芯微的高压隔离驱动芯片NSI6611设计的,此开发板设计为半桥结构,可以独立驱动上下两个桥臂的IGBT或SiC,兼容ST的ACEPACK DRIVE封装,开发板还集成了两路高压侧驱动的供电,并且电压可调。客户可以完成半桥驱动的应用测试如 双脉冲测试、短路测试等,从而帮助客户快速的评估NSI6611的功能和参数特性
产品特性
5.7KVRMS隔离电压
10A的电流驱动能力
CMTI可以达到±150KV/us
集成200ns快速响应的DESAT检测
集成400mA软关断功能
集成主动米勒钳位功能
集成ASC保护功能
工作温度: Tj=-40°C~150°C
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应用笔记
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智能隔离驱动芯片NSI6611的半桥应用和双脉冲测试指南
SiC MOSFET短路特性以及短路保护方法
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